PMPB08R6ENX规格参数_pmpb08r6enx现货热销【斯普仑】

PMPB08R6ENX

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：6-UDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6

7966 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMPB08R6ENX，现有足量库存。PMPB08R6ENX的封装/规格参数为:6-UDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供PMPB08R6ENX数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMPB08R6ENX的详细使用方法及教程。

PMPB08R6ENX产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMPB08R6ENX
描述	MOSFET N-CH 30V 11A DFN2020M-6
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	7966
系列	TrenchMOS™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10.5毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	840 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.9W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN2020MD-6
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘

PMPB08R6ENX

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