DMP1012UFDF-13规格参数_dmp1012ufdf-13现货热销【斯普仑】

DMP1012UFDF-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：6-UDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN

6304 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP1012UFDF-13，现有足量库存。DMP1012UFDF-13的封装/规格参数为:6-UDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供DMP1012UFDF-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP1012UFDF-13的详细使用方法及教程。

DMP1012UFDF-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP1012UFDF-13
描述	MOSFET P-CH 12V 12.6A/20A 6UDFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	6304
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.6A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	15 毫欧 @ 5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	31 nC @ 8 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1344 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	720mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘

DMP1012UFDF-13

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心