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DMN1053UCP4-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：4-XFBGA，CSPBGA

描述：MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4

1747 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN1053UCP4-7，现有足量库存。DMN1053UCP4-7的封装/规格参数为:4-XFBGA，CSPBGA；同时斯普仑现货为您提供DMN1053UCP4-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN1053UCP4-7的详细使用方法及教程。

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DMN1053UCP4-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMN1053UCP4-7
描述 MOSFET N-CH 12V 2.7A X3DSN0808-4
制造商 Diodes Incorporated
库存 1747
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 42 毫欧 @ 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 700mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 908 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.34W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X3-DSN0808-4
封装/外壳 4-XFBGA，CSPBGA

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