PMPB10XNE,115规格参数_pmpb10xne,115现货热销【斯普仑】

PMPB10XNE,115

制造商：Nexperia USA Inc.

封装外壳：6-UDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6

7358 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PMPB10XNE,115，现有足量库存。PMPB10XNE,115的封装/规格参数为:6-UDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供PMPB10XNE,115数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有PMPB10XNE,115的详细使用方法及教程。

PMPB10XNE,115产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	PMPB10XNE,115
描述	MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
制造商	Nexperia USA Inc.
库存	7358
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	14 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	900mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2175 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.7W（Ta），12.5W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DFN2020MD-6
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘

PMPB10XNE,115

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