DMT5012LFVW-7规格参数_dmt5012lfvw-7现货热销【斯普仑】

DMT5012LFVW-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333

8031 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT5012LFVW-7，现有足量库存。DMT5012LFVW-7的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供DMT5012LFVW-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT5012LFVW-7的详细使用方法及教程。

DMT5012LFVW-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMT5012LFVW-7
描述	MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333
制造商	Diodes Incorporated
库存	8031
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.7A（Ta），51.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	17.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	738 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.7W（Ta），51.4W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装	PowerDI3333-8（SWP）UX 类
封装/外壳	8-PowerVDFN

DMT5012LFVW-7

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