DMN1017UCP3-7规格参数_dmn1017ucp3-7现货热销【斯普仑】

DMN1017UCP3-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：3-XDFN

描述：MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3

7473 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN1017UCP3-7，现有足量库存。DMN1017UCP3-7的封装/规格参数为:3-XDFN；同时斯普仑现货为您提供DMN1017UCP3-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN1017UCP3-7的详细使用方法及教程。

DMN1017UCP3-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMN1017UCP3-7
描述	MOSFET N-CH 12V 7.5A X3DSN1010-3
制造商	Diodes Incorporated
库存	7473
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，3.3V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	17 毫欧 @ 5A，3.3V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	16 nC @ 3.3 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1503 pF @ 6 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.47W
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	X3-DSN1010-3
封装/外壳	3-XDFN

DMN1017UCP3-7

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