RT1C060UNTR规格参数_rt1c060untr现货热销【斯普仑】

RT1C060UNTR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-SMD，扁平引线

描述：MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST

6480 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RT1C060UNTR，现有足量库存。RT1C060UNTR的封装/规格参数为:8-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供RT1C060UNTR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RT1C060UNTR的详细使用方法及教程。

RT1C060UNTR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RT1C060UNTR
描述	MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
制造商	Rohm Semiconductor
库存	6480
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	28 毫欧 @ 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	870 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	650mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSST
封装/外壳	8-SMD，扁平引线

RT1C060UNTR

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