DMTH8028LPSW-13规格参数_dmth8028lpsw-13现货热销【斯普仑】

DMTH8028LPSW-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50

6001 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMTH8028LPSW-13，现有足量库存。DMTH8028LPSW-13的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供DMTH8028LPSW-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMTH8028LPSW-13的详细使用方法及教程。

DMTH8028LPSW-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMTH8028LPSW-13
描述	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
制造商	Diodes Incorporated
库存	6001
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	41.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	25 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	10.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	641 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.9W（Ta），65W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装	PowerDI5060-8（UX 类）
封装/外壳	8-PowerTDFN

DMTH8028LPSW-13

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