RTQ030P02TR规格参数_rtq030p02tr现货热销【斯普仑】

RTQ030P02TR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6

4949 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RTQ030P02TR，现有足量库存。RTQ030P02TR的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供RTQ030P02TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RTQ030P02TR的详细使用方法及教程。

RTQ030P02TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RTQ030P02TR
描述	MOSFET P-CH 20V 3A TSMT6
制造商	Rohm Semiconductor
库存	4949
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	80 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	800 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.25W（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TSMT6（SC-95）
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

RTQ030P02TR

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