RSD046P05TL规格参数_rsd046p05tl现货热销【斯普仑】

RSD046P05TL

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3

1030 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RSD046P05TL，现有足量库存。RSD046P05TL的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供RSD046P05TL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RSD046P05TL的详细使用方法及教程。

RSD046P05TL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RSD046P05TL
描述	MOSFET P-CH 45V 4.5A CPT3
制造商	Rohm Semiconductor
库存	1030
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	155 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	550 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	850mW（Ta），15W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	CPT3
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

RSD046P05TL

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