DMTH69M8LFVWQ-7规格参数_dmth69m8lfvwq-7现货热销【斯普仑】

DMTH69M8LFVWQ-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333

7170 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMTH69M8LFVWQ-7，现有足量库存。DMTH69M8LFVWQ-7的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供DMTH69M8LFVWQ-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMTH69M8LFVWQ-7的详细使用方法及教程。

DMTH69M8LFVWQ-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMTH69M8LFVWQ-7
描述	MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
制造商	Diodes Incorporated
库存	7170
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	28ns/198ns
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	9.5 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1.925 pF @ 30 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	LMR-1700
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装，可润湿侧翼
供应商器件封装	PowerDI3333-8（SWP）UX 类
封装/外壳	8-PowerVDFN

DMTH69M8LFVWQ-7

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