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DMP1011LFV-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333

9768 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP1011LFV-13，现有足量库存。DMP1011LFV-13的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供DMP1011LFV-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP1011LFV-13的详细使用方法及教程。

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DMP1011LFV-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMP1011LFV-13
描述 MOSFET P-CH 12V 19A POWERDI3333
制造商 Diodes Incorporated
库存 9768
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 19A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 11.7 毫欧 @ 12A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 9.5 nC @ 6 V
Vgs（最大值） -6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 913 pF @ 6 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.16W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerDI3333-8
封装/外壳 8-PowerVDFN

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