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TPH6R004PL,LQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP

2347 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPH6R004PL,LQ，现有足量库存。TPH6R004PL,LQ的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPH6R004PL,LQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPH6R004PL,LQ的详细使用方法及教程。

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TPH6R004PL,LQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TPH6R004PL,LQ
描述 MOSFET N-CH 40V 87A/49A 8SOP
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 2347
系列 U-MOSIX-H
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 87A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6 毫欧 @ 24.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.4V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2700 pF @ 20 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta），81W（Tc）
工作温度 175°C
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳 8-PowerVDFN

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