DMP1022UWS-13规格参数_dmp1022uws-13现货热销【斯普仑】

DMP1022UWS-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-VDFN

描述：MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN

8143 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP1022UWS-13，现有足量库存。DMP1022UWS-13的封装/规格参数为:8-VDFN；同时斯普仑现货为您提供DMP1022UWS-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP1022UWS-13的详细使用方法及教程。

DMP1022UWS-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP1022UWS-13
描述	MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	8143
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	18 毫欧 @ 9A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2847 pF @ 4 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	900mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	V-DFN3020-8
封装/外壳	8-VDFN

DMP1022UWS-13

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