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制造商：Renesas Electronics America Inc
封装外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
描述：MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的UPA1809GR-9JG-E1-A，现有足量库存。UPA1809GR-9JG-E1-A的封装/规格参数为:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供UPA1809GR-9JG-E1-A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UPA1809GR-9JG-E1-A的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Renesas Electronics America Inc设计生产的UPA1809GR-9JG-E1-A，现有足量库存。UPA1809GR-9JG-E1-A的封装/规格参数为:8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供UPA1809GR-9JG-E1-A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有UPA1809GR-9JG-E1-A的详细使用方法及教程。
| UPA1809GR-9JG-E1-A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | UPA1809GR-9JG-E1-A |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8-TSSOP |
| 制造商 | Renesas Electronics America Inc |
| 库存 | 6830 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 520 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - |
| 工作温度 | - |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
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