DMP26M1UFG-13规格参数_dmp26m1ufg-13现货热销【斯普仑】

DMP26M1UFG-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333

7280 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP26M1UFG-13，现有足量库存。DMP26M1UFG-13的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供DMP26M1UFG-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP26M1UFG-13的详细使用方法及教程。

DMP26M1UFG-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP26M1UFG-13
描述	MOSFET BVDSS: 8V~24V POWERDI3333
制造商	Diodes Incorporated
库存	7280
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	71A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5.5 毫欧 @ 15A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	164 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	5392 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.67W（Ta），3W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerDI3333-8
封装/外壳	8-PowerVDFN

DMP26M1UFG-13

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