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VN10LPSTZ

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：E-Line-3，成型引线

描述：MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3

7006 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的VN10LPSTZ，现有足量库存。VN10LPSTZ的封装/规格参数为:E-Line-3，成型引线；同时斯普仑现货为您提供VN10LPSTZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VN10LPSTZ的详细使用方法及教程。

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VN10LPSTZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 VN10LPSTZ
描述 MOSFET VMOS N-CHAN TO92-3
制造商 Diodes Incorporated
库存 7006
系列 -
包装 带盒（TB）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 270mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 60 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 625mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳 E-Line-3，成型引线

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