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DMT12H090LFDF4-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：6-PowerXDFN

描述：MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN

9334 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT12H090LFDF4-13，现有足量库存。DMT12H090LFDF4-13的封装/规格参数为:6-PowerXDFN；同时斯普仑现货为您提供DMT12H090LFDF4-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT12H090LFDF4-13的详细使用方法及教程。

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DMT12H090LFDF4-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMT12H090LFDF4-13
描述 MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
制造商 Diodes Incorporated
库存 9334
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 115 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 90 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 251 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 900mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 X2-DFN2020-6
封装/外壳 6-PowerXDFN

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