NTTFS080N10GTAG规格参数_nttfs080n10gtag现货热销【斯普仑】

NTTFS080N10GTAG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：100V MVSOA IN U8FL PACKAGE

1558 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTTFS080N10GTAG，现有足量库存。NTTFS080N10GTAG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NTTFS080N10GTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTTFS080N10GTAG的详细使用方法及教程。

NTTFS080N10GTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTTFS080N10GTAG
描述	100V MVSOA IN U8FL PACKAGE
制造商	onsemi
库存	1558
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.1A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	72 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 22µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	8.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	560.5 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），39W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NTTFS080N10GTAG

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