DMT12H065LFDF-7规格参数_dmt12h065lfdf-7现货热销【斯普仑】

DMT12H065LFDF-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：6-UDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN

5409 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT12H065LFDF-7，现有足量库存。DMT12H065LFDF-7的封装/规格参数为:6-UDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供DMT12H065LFDF-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT12H065LFDF-7的详细使用方法及教程。

DMT12H065LFDF-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMT12H065LFDF-7
描述	MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	5409
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	115 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	65 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	5.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	252 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘

DMT12H065LFDF-7

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