DMP2021UTSQ-13规格参数_dmp2021utsq-13现货热销【斯普仑】

DMP2021UTSQ-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：-

描述：MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R

8949 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMP2021UTSQ-13，现有足量库存。DMP2021UTSQ-13的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供DMP2021UTSQ-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMP2021UTSQ-13的详细使用方法及教程。

DMP2021UTSQ-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMP2021UTSQ-13
描述	MOSFET BVDSS: 8V 24V TSSOP-8 T&R
制造商	Diodes Incorporated
库存	8949
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.4A（Ta），18A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	16 毫欧 @ 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	59 nC @ 8 V
Vgs（最大值）	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2.76 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.3W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	-
封装/外壳	-

DMP2021UTSQ-13

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