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STL6N2VH5

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：6-PowerWDFN

描述：MOSFET N-CH 20V POWERFLAT

5555 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL6N2VH5，现有足量库存。STL6N2VH5的封装/规格参数为:6-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供STL6N2VH5数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL6N2VH5的详细使用方法及教程。

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STL6N2VH5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STL6N2VH5
描述 MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
库存 5555
系列 STripFET™ V
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 30 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 550 pF @ 16 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.4W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerFlat™（2x2）
封装/外壳 6-PowerWDFN

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