NVTFWS027N10MCLTAG规格参数_nvtfws027n10mcltag现货热销【斯普仑】

NVTFWS027N10MCLTAG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：PTNG 100V LL U8FL

1979 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVTFWS027N10MCLTAG，现有足量库存。NVTFWS027N10MCLTAG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NVTFWS027N10MCLTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVTFWS027N10MCLTAG的详细使用方法及教程。

NVTFWS027N10MCLTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVTFWS027N10MCLTAG
描述	PTNG 100V LL U8FL
制造商	onsemi
库存	1979
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.4A（Ta），28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	26 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 38µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	800 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.1W（Ta），46W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFN（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NVTFWS027N10MCLTAG

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