RQ1E100XNTR规格参数_rq1e100xntr现货热销【斯普仑】

RQ1E100XNTR

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：8-SMD，扁平引线

描述：MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8

5363 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RQ1E100XNTR，现有足量库存。RQ1E100XNTR的封装/规格参数为:8-SMD，扁平引线；同时斯普仑现货为您提供RQ1E100XNTR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RQ1E100XNTR的详细使用方法及教程。

RQ1E100XNTR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RQ1E100XNTR
描述	MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
制造商	Rohm Semiconductor
库存	5363
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12.7 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1000 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	550mW（Ta）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TSMT8
封装/外壳	8-SMD，扁平引线

RQ1E100XNTR

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