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TPN4R203NC,L1Q

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

3575 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TPN4R203NC,L1Q，现有足量库存。TPN4R203NC,L1Q的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供TPN4R203NC,L1Q数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TPN4R203NC,L1Q的详细使用方法及教程。

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TPN4R203NC,L1Q产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TPN4R203NC,L1Q
描述 MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 3575
系列 U-MOSVIII
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 23A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.2 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.3V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 24 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1370 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 700mW（Ta），22W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳 8-PowerVDFN

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