RCD075N19TL规格参数_rcd075n19tl现货热销【斯普仑】

RCD075N19TL

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3

1399 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RCD075N19TL，现有足量库存。RCD075N19TL的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供RCD075N19TL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RCD075N19TL的详细使用方法及教程。

RCD075N19TL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	RCD075N19TL
描述	MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
制造商	Rohm Semiconductor
库存	1399
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	190 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	336 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	30 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1100 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	850mW（Ta），20W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	CPT3
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

RCD075N19TL

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