IAUC26N10S5L245ATMA1规格参数_iauc26n10s5l245atma1现货热销【斯普仑】

IAUC26N10S5L245ATMA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8

6095 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IAUC26N10S5L245ATMA1，现有足量库存。IAUC26N10S5L245ATMA1的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供IAUC26N10S5L245ATMA1数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IAUC26N10S5L245ATMA1的详细使用方法及教程。

IAUC26N10S5L245ATMA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IAUC26N10S5L245ATMA1
描述	MOSFET_(75V 120V( PG-TDSON-8
制造商	Infineon Technologies
库存	6095
系列	OptiMOS™
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	26A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24.5 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	762 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	40W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TDSON-8-33
封装/外壳	8-PowerTDFN

IAUC26N10S5L245ATMA1

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