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制造商：Toshiba Semiconductor and Storage
封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK3P80E,RQ，现有足量库存。TK3P80E,RQ的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供TK3P80E,RQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK3P80E,RQ的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK3P80E,RQ，现有足量库存。TK3P80E,RQ的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供TK3P80E,RQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK3P80E,RQ的详细使用方法及教程。
| TK3P80E,RQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TK3P80E,RQ |
| 描述 | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 库存 | 7598 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.9 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 80W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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