DMT10H009LCG-7规格参数_dmt10h009lcg-7现货热销【斯普仑】

DMT10H009LCG-7

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN

2189 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT10H009LCG-7，现有足量库存。DMT10H009LCG-7的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供DMT10H009LCG-7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT10H009LCG-7的详细使用方法及教程。

DMT10H009LCG-7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMT10H009LCG-7
描述	MOSFET N-CH 100V 12.4A/47A 8DFN
制造商	Diodes Incorporated
库存	2189
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.4A（Ta），47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	20.2 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2309 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	V-DFN3333-8（B 类）
封装/外壳	8-PowerVDFN

DMT10H009LCG-7

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