NVTFWS8D1N08HTAG规格参数_nvtfws8d1n08htag现货热销【斯普仑】

NVTFWS8D1N08HTAG

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerWDFN

描述：80V T8 IN U8FL HEFET PACK

2071 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NVTFWS8D1N08HTAG，现有足量库存。NVTFWS8D1N08HTAG的封装/规格参数为:8-PowerWDFN；同时斯普仑现货为您提供NVTFWS8D1N08HTAG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NVTFWS8D1N08HTAG的详细使用方法及教程。

NVTFWS8D1N08HTAG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NVTFWS8D1N08HTAG
描述	80V T8 IN U8FL HEFET PACK
制造商	onsemi
库存	2071
系列	Automotive, AEC-Q101
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	14A（Ta），61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.3 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1450 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.8W（Ta），75W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-WDFNW（3.3x3.3）
封装/外壳	8-PowerWDFN

NVTFWS8D1N08HTAG

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