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制造商：Diodes Incorporated
封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMJ70H1D3SK3-13，现有足量库存。DMJ70H1D3SK3-13的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供DMJ70H1D3SK3-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMJ70H1D3SK3-13的详细使用方法及教程。
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| DMJ70H1D3SK3-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | DMJ70H1D3SK3-13 |
| 描述 | MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T& |
| 制造商 | Diodes Incorporated |
| 库存 | 7106 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 700 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.4 欧姆 @ 1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.8 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 264 pF @ 100 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 57W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
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