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ZXMP6A18KQTC

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R

4833 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZXMP6A18KQTC，现有足量库存。ZXMP6A18KQTC的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供ZXMP6A18KQTC数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZXMP6A18KQTC的详细使用方法及教程。

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ZXMP6A18KQTC产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 ZXMP6A18KQTC
描述 MOSFET BVDSS: 41V~60V TO252 T&R
制造商 Diodes Incorporated
库存 4833
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 55 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 44 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1580 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.15W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-252，（D-Pak）
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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