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DMT69M5LH3

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

描述：MOSFET BVDSS: 41V~60V TO251 TUBE

5471 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT69M5LH3，现有足量库存。DMT69M5LH3的封装/规格参数为:TO-251-3 短截引线，IPak；同时斯普仑现货为您提供DMT69M5LH3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT69M5LH3的详细使用方法及教程。

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DMT69M5LH3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMT69M5LH3
描述 MOSFET BVDSS: 41V~60V TO251 TUBE
制造商 Diodes Incorporated
库存 5471
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 10.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 28.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1406 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.3W（Ta），96W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251
封装/外壳 TO-251-3 短截引线，IPak

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