AOT8N65规格参数_aot8n65现货热销【斯普仑】

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 650V 8A TO220

9783 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Alpha & Omega Semiconductor Inc.设计生产的AOT8N65，现有足量库存。AOT8N65的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供AOT8N65数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AOT8N65的详细使用方法及教程。

AOT8N65产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AOT8N65
描述	MOSFET N-CH 650V 8A TO220
制造商	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存	9783
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.15 欧姆 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1400 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	208W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220
封装/外壳	TO-220-3