NTMFSC011N08M7规格参数_ntmfsc011n08m7现货热销【斯普仑】

NTMFSC011N08M7

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC

1691 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFSC011N08M7，现有足量库存。NTMFSC011N08M7的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供NTMFSC011N08M7数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMFSC011N08M7的详细使用方法及教程。

NTMFSC011N08M7产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMFSC011N08M7
描述	MV7 80V SG 10MOHM PQFN56DC
制造商	onsemi
库存	1691
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	12.5A（Ta），61A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 120µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2700 pF @ 40 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.3W（Ta），78.1W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6.15）
封装/外壳	8-PowerVDFN

NTMFSC011N08M7

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