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STB6N65K3

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：-

描述：MOSFET N-CH 650V DPAK

2978 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STB6N65K3，现有足量库存。STB6N65K3的封装/规格参数为:-；同时斯普仑现货为您提供STB6N65K3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STB6N65K3的详细使用方法及教程。

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STB6N65K3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STB6N65K3
描述 MOSFET N-CH 650V DPAK
制造商 STMicroelectronics
库存 2978
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 -
技术 -
漏源电压（Vdss） -
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） -
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） -
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） -
FET 功能 -
功率耗散（最大值） -
工作温度 -
安装类型 -
供应商器件封装 -
封装/外壳 -

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