AONS660A70F规格参数_aons660a70f现货热销【斯普仑】

AONS660A70F

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 700V 1.7A/9.6A 8DFN

7064 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Alpha & Omega Semiconductor Inc.设计生产的AONS660A70F，现有足量库存。AONS660A70F的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供AONS660A70F数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AONS660A70F的详细使用方法及教程。

AONS660A70F产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AONS660A70F
描述	MOSFET N-CH 700V 1.7A/9.6A 8DFN
制造商	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存	7064
系列	aMOS5™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1.7A（Ta），9.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	660 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	14.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	900 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	4.1W（Ta），138W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN-EP（5x6）
封装/外壳	8-PowerVDFN

AONS660A70F

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