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DMT10H9M9SH3

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

描述：MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB

8052 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT10H9M9SH3，现有足量库存。DMT10H9M9SH3的封装/规格参数为:TO-251-3 短截引线，IPak；同时斯普仑现货为您提供DMT10H9M9SH3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT10H9M9SH3的详细使用方法及教程。

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DMT10H9M9SH3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMT10H9M9SH3
描述 MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB
制造商 Diodes Incorporated
库存 8052
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 84A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2085 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 114W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-251
封装/外壳 TO-251-3 短截引线，IPak

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