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TSM130NB06CR RLG

制造商：Taiwan Semiconductor Corporation

封装外壳：8-PowerLDFN

描述：MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN

8612 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM130NB06CR RLG，现有足量库存。TSM130NB06CR RLG的封装/规格参数为:8-PowerLDFN；同时斯普仑现货为您提供TSM130NB06CR RLG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM130NB06CR RLG的详细使用方法及教程。

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TSM130NB06CR RLG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TSM130NB06CR RLG
描述 MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
库存 8612
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Ta），51A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 36 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2380 pF @ 30 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.1W（Ta），83W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-PDFN（5.2x5.75）
封装/外壳 8-PowerLDFN

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