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TK12V60W,LVQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：4-VSFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN

4398 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK12V60W,LVQ，现有足量库存。TK12V60W,LVQ的封装/规格参数为:4-VSFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供TK12V60W,LVQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK12V60W,LVQ的详细使用方法及教程。

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TK12V60W,LVQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 TK12V60W,LVQ
描述 MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
库存 4398
系列 DTMOSIV
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 300 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.7V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 25 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 890 pF @ 300 V
FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 104W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-DFN-EP（8x8）
封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘

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