DMT10H9M9LCT规格参数_dmt10h9m9lct现货热销【斯普仑】

DMT10H9M9LCT

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T

9745 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMT10H9M9LCT，现有足量库存。DMT10H9M9LCT的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供DMT10H9M9LCT数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMT10H9M9LCT的详细使用方法及教程。

DMT10H9M9LCT产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMT10H9M9LCT
描述	MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
制造商	Diodes Incorporated
库存	9745
系列	-
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	101A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.5 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	40.2 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2309 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.3W（Ta），156W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3

DMT10H9M9LCT

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