AOI11S60规格参数_aoi11s60现货热销【斯普仑】

AOI11S60

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

封装外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

描述：MOSFET N-CH 600V 11A TO251A

5519 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Alpha & Omega Semiconductor Inc.设计生产的AOI11S60，现有足量库存。AOI11S60的封装/规格参数为:TO-251-3 短截引线，IPak；同时斯普仑现货为您提供AOI11S60数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有AOI11S60的详细使用方法及教程。

AOI11S60产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	AOI11S60
描述	MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
制造商	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存	5519
系列	aMOS™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	399 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	545 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	208W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-251A
封装/外壳	TO-251-3 短截引线，IPak

AOI11S60

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