欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

DMN80H2D0SCTI

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB

3665 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN80H2D0SCTI，现有足量库存。DMN80H2D0SCTI的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供DMN80H2D0SCTI数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN80H2D0SCTI的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMN80H2D0SCTI，现有足量库存。DMN80H2D0SCTI的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供DMN80H2D0SCTI数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMN80H2D0SCTI的详细使用方法及教程。

DMN80H2D0SCTI产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMN80H2D0SCTI
描述 MOSFET N-CH 800V 7A ITO220AB
制造商 Diodes Incorporated
库存 3665
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 35.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1253 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 41W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 ITO-220AB
封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片

猜您喜欢

Diodes Incorporated

G15

Diodes Incorporated

E3M0065090D

Diodes Incorporated

C2M0080170P

Diodes Incorporated

CPMF-1200-S160B

Diodes Incorporated

CPMF-1200-S080B

Diodes Incorporated

CPM2-1200-0160B

Diodes Incorporated

CPM2-1200-0080B

Diodes Incorporated

BUK7Y25-80E/GFX

Diodes Incorporated

BUK7Y25-80E/CX

Diodes Incorporated

PSMN7R6-60XSQ

Diodes Incorporated

BUK761R5-40EJ

Diodes Incorporated

PSMN8R5-108ESQ

Diodes Incorporated

PSMN3R9-60XSQ

Diodes Incorporated

BUK9C1R3-40EJ

Diodes Incorporated

BUK951R8-40EQ

Diodes Incorporated

PMT760EN,115

Diodes Incorporated

PMT200EN,115

Diodes Incorporated

BUK9C5R3-100EJ

Diodes Incorporated

BUK9C3R8-80EJ

Diodes Incorporated

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”