NTMFD4952NFT1G规格参数_ntmfd4952nft1g现货热销【斯普仑】

NTMFD4952NFT1G

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL

3963 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMFD4952NFT1G，现有足量库存。NTMFD4952NFT1G的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供NTMFD4952NFT1G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTMFD4952NFT1G的详细使用方法及教程。

NTMFD4952NFT1G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	NTMFD4952NFT1G
描述	MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL
制造商	onsemi
库存	3963
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	-
技术	-
漏源电压（Vdss）	-
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	-
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）
封装/外壳	8-PowerTDFN

NTMFD4952NFT1G

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