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制造商：Taiwan Semiconductor Corporation
封装外壳：8-PowerLDFN
描述：MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
斯普仑电子元件现货为您提供Taiwan Semiconductor Corporation设计生产的TSM033NB04LCR RLG，现有足量库存。TSM033NB04LCR RLG的封装/规格参数为:8-PowerLDFN；同时斯普仑现货为您提供TSM033NB04LCR RLG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TSM033NB04LCR RLG的详细使用方法及教程。
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| TSM033NB04LCR RLG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | TSM033NB04LCR RLG |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN |
| 制造商 | Taiwan Semiconductor Corporation |
| 库存 | 6439 |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷带（TR） , 剪切带（CT） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Ta），121A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.3 毫欧 @ 21A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 79 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4456 pF @ 20 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta），107W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-PDFN（5.2x5.75） |
| 封装/外壳 | 8-PowerLDFN |
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