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DMJ65H650SCTI

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB

4164 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMJ65H650SCTI，现有足量库存。DMJ65H650SCTI的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供DMJ65H650SCTI数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMJ65H650SCTI的详细使用方法及教程。

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DMJ65H650SCTI产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 DMJ65H650SCTI
描述 MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
制造商 Diodes Incorporated
库存 4164
系列
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 600 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 12.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 639 pF @ 100 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 31W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 ITO-220AB（TH 类）
封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片

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