TK12Q60W,S1VQ规格参数_tk12q60w,s1vq现货热销【斯普仑】

TK12Q60W,S1VQ

制造商：Toshiba Semiconductor and Storage

封装外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

描述：MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

9835 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Toshiba Semiconductor and Storage设计生产的TK12Q60W,S1VQ，现有足量库存。TK12Q60W,S1VQ的封装/规格参数为:TO-251-3 短截引线，IPak；同时斯普仑现货为您提供TK12Q60W,S1VQ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有TK12Q60W,S1VQ的详细使用方法及教程。

TK12Q60W,S1VQ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	TK12Q60W,S1VQ
描述	MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
库存	9835
系列
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	340 毫欧 @ 5.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3.7V @ 600µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	890 pF @ 300 V
FET 功能	超级结
功率耗散（最大值）	100W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	I-Pak
封装/外壳	TO-251-3 短截引线，IPak

TK12Q60W,S1VQ

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