DMTH4M70SPGW-13规格参数_dmth4m70spgw-13现货热销【斯普仑】

DMTH4M70SPGW-13

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：SOT-1235

描述：MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808

8556 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的DMTH4M70SPGW-13，现有足量库存。DMTH4M70SPGW-13的封装/规格参数为:SOT-1235；同时斯普仑现货为您提供DMTH4M70SPGW-13数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有DMTH4M70SPGW-13的详细使用方法及教程。

DMTH4M70SPGW-13产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	DMTH4M70SPGW-13
描述	MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
制造商	Diodes Incorporated
库存	8556
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	460A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.7 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	117.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	10053 pF @ 20 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	5.6W（Ta），428W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerDI8080-5
封装/外壳	SOT-1235

DMTH4M70SPGW-13

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