STL10LN80K5规格参数_stl10ln80k5现货热销【斯普仑】

STL10LN80K5

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：8-PowerVDFN

描述：MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV

3498 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STL10LN80K5，现有足量库存。STL10LN80K5的封装/规格参数为:8-PowerVDFN；同时斯普仑现货为您提供STL10LN80K5数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STL10LN80K5的详细使用方法及教程。

STL10LN80K5产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STL10LN80K5
描述	MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
制造商	STMicroelectronics
库存	3498
系列	MDmesh™ K5
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	660 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	427 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	42W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerFlat™（5x6）VHV
封装/外壳	8-PowerVDFN

STL10LN80K5

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