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FDMS86150A

制造商：onsemi

封装外壳：8-PowerTDFN

描述：FET 100V 4.85 MOHM PQFN56

5307 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDMS86150A，现有足量库存。FDMS86150A的封装/规格参数为:8-PowerTDFN；同时斯普仑现货为您提供FDMS86150A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDMS86150A的详细使用方法及教程。

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FDMS86150A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDMS86150A
描述 FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
制造商 onsemi
库存 5307
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 16A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.85 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 66 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4665 pF @ 50 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.7W（Ta），113W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Power56
封装/外壳 8-PowerTDFN

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